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Typical Characteristics
30
100
T C = 25 o C
25
20
10
100μs
1ms
15
T J = 175 o C
T J = 25 o C
10
5
0
1.0
0.1
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(ON)
10ms
DC
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
10
100
1000
V SD , SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage vs Body
Diode Current
16
12
8
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
50
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
10
STARTING T J = 25 o C
4
STARTING T J = 150 o C
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.01
0.1
1
10
50
T C , CASE TEMPERATURE ( C)
o
Figure 9. Maximum Drain Current vs Case
Temperature
10 0
0.50
0.20
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
10 -1
0.10
P D
t 1
0.05
0.02
t 2
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
10 -2 -5
10
0.01
SINGLE PULSE
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
PEAK T J = (PD X Z θ JC X R θ JC ) + T C
10 0 10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB15N50 Rev. C1
4
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